• 主要産品:抛光粉、抛光液、抛光革、抛光輪等
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淺談半導體材料的研磨抛光

磨削和研磨等磨料處理是生産(chǎn)半導體芯片的必要方式,然而研磨會導緻芯片表面的完整性變(biàn)差。因此,抛光的一緻性、均勻性和表面粗糙度對生産(chǎn)芯片來說是十分重要的。

研磨與抛光的區别

研磨利用塗敷或壓嵌在研具上的磨料顆粒,通過研具與工件在 壓力下的相對運動對加工表面進行的精整加工。研磨可用於(yú)加工各種金屬和非金屬材料,加工的表面形狀有平面,内、外圓柱面和圓錐面,凸、凹球面,螺紋,齒(chǐ)面及其他型面。加工精度可達IT5~IT1,表面粗糙度可達Ra0.63~0.01微米。

抛光是利用機械、化學或電(diàn)化學的作用,使工件表面粗糙度降低,以獲(huò)得光亮、平整表面的加工方法。

兩者的主要區别在於(yú):抛光達到的表面光潔度要比研磨更高,並(bìng)且可以採用化學或者電化學的方法,而研磨基本隻採用機械的方法,所使用的磨料粒度要比抛光用的更粗,即粒度大。故生産芯片,研磨抛光都是必不可少的一個方式。

一. 研磨處理

利用硬度比被加工材料更高的微米級顆粒,在硬質研磨盤作用下産(chǎn)生微切削,實現被加工芯片表面的微量材料去除,使工件的尺寸精度達(dá)到要求。

磨料:研磨液通常使用1微米以上顆粒由表面活性劑、PH調(diào)節劑、分散劑等組分組成,各組分發揮著(zhe)不同的作用。

爲瞭(le)滿(mǎn)足研磨工藝要求,研磨液應具有:

1)良好的懸浮性,短時間内不能産(chǎn)生沉澱,分層(céng)等問題。

2)良好的流動(dòng)性,粘度低,易於(yú)操作。

3)稀釋能力強(qiáng),便於(yú)降低成本,方便運輸。

4)研磨工藝後(hòu),便於(yú)清洗研磨盤。

5)良好的潤滑性,在研磨工藝上降低劃(huà)傷點(diǎn)。

研磨時磨料的工作狀态:

1)研磨顆粒在家具與研磨盤之間發生滾動(dòng),産(chǎn)生滾軋效果。

2) 研磨顆(kē)粒壓入到盤(pán)磨盤(pán)表面,實現微切削加工。

需要注意的地方:

1)研磨後肉眼觀(guān)察無任何劃傷後才可進行抛光,如有劃傷應是研磨料被污染,應清洗盤磨盤、夾具、導(dǎo)流槽等。清洗後再研磨可解決劃傷問題。

2)研磨芯片時如出現一緻性較差和均勻性較差,可測(cè)量研磨盤平整度,修盤後(hòu)可解決。

二.抛光處理

利用微細磨料的物理研磨和化學腐蝕,在軟質抛光布輔助作用下,未獲得光滑表面,減小或消除加工變(biàn)質層(céng),從而獲得表面高質量的加工方法。

抛光布開槽作用:儲(chǔ)存多餘抛光液,防止抛光液堆積産(chǎn)生損傷;作爲向工件供給抛光液的通道;作爲及時排廢屑的通道,防止劃傷。

影響抛光的工藝的因數:抛光盤轉速、夾(jiā)具壓力、抛光時間(jiān)以及抛光液的濃度和流速等,如:

1)加工速度過(guò)高,會(huì)因離心力将抛光液甩出工作區,降低加工穩定性,影響精度。精加工應用低速、低壓力。

2)在範(fàn)圍内增加夾(jiā)具壓力可提高抛光效率,壓力減小可減小表面粗糙度。

3)抛光液的濃度增加,抛光速率增加,但可能會(huì)引起質量惡(è)化。

4)抛光液的流速過大,會導(dǎo)緻橘皮現象。可增加蠕動(dòng)泵控制流速

抛光後(hòu)表面如有殘(cán)留物,可用清水抛光5分鍾解決髒污問題

值得一提的是,在研磨抛光處理中研磨液和抛光液是極其重要的,其既能提高速率、平整度、一緻性,有利於(yú)後續清洗,使得研磨粒子不會殘(cán)留在粒子表面。


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